背景
Crystal IS成立于1997年，由Leo Schowalter和Glen Slack开发本土氮化铝(AlN)基板技术，用于更强大和可靠的半导体器件。晶体IS的科学家开发了在AlN衬底上生长活性晶体层(如led)的专利工艺，同时保持AlN的低缺陷密度。这些晶体(称为伪晶外延结构)具有锋利的界面，表面光滑，表面粗糙度小于一纳米。当使用国外衬底如蓝宝石时，这些厚的伪晶层和基于它们的器件是不可能的。
其结果是LED器件在250-280 nm波长范围内具有更高的效率和更长的寿命，比其他竞争技术制造的二极管(如蓝宝石上生长的晶体)要长。
狮子座Schowalter创始人之一
Crystal是AlN Boule
led是如何制造的?
led通常是通过在晶圆基板上沉积非常薄的、各种成分的高度结晶层(外延层)来制造的。LED发出的波长是由外延层的材料特性决定的。沉积的原子沿着衬底提供的晶体模板，这个过程称为外延沉积。对于大多数材料体系，都有原生基质;例如，基于铝、铟和/或砷化镓合金的二极管，其原生基板是砷化镓(GaAs)，而基于硅的二极管则使用硅基板。
AlN Crystal:所有Crystal IS产品的核心
基板的发光二极管
在传统蓝宝石基材上制作深紫外线led，通常用于蓝色和绿色InGaN led，结果为108每平方厘米的错位(缺陷)。Crystal IS使用氮化铝(AlN)衬底制造小于10的深紫外led5每平方厘米的错位(缺陷)。这意味着在更短的波长下产生更高输出的led的高产率。